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7. 반도체 소자 제작 및 전기적 특성 분석(심화)
교육 과정
반도체 소자 제작 및 전기적 특성 측정 [심화]
4일
교육 기간
반도체 8대 공정을 이용한 반도체 소자 제작, Probe Station을 활용한 반도체 소자의 전기적 특성 측정을 실습
실습 내용
기대 성과
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Photolithography 공정, Dry Etch 공정, Wet Cleaning 공정을 수행할 수 있다.
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Oxidation 공정, LPCVD 공정, Metal Evaporation 공정, Alloy 공정을 수행할 수 있다
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MOSFET 제작을 위한 공정 순서를 설명할 수 있다
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현미경을 이용하여 웨이퍼의 상태를 검사하고 패턴의 크기를 측정할 수 있다
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MOSFET 소자의 전류-전압 특성을 측정할 수 있다
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MOSFET 소자의 주요 전기적 특성을 추출할 수 있다
반도체 8대 공정, Probe Station, 주요 전기적 특성 추출
실습 공정
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