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연구개발직

SK Hynix

주요업무

​소자

  1. Process Integration : Cell Scheme 결정, 최적 Design Rule 도출

  2. 수율 : Process Window 확보, 조기 양산 수율 경쟁력 확보 업무

  3. Device : EPM 및 고성능 Transistor 개발, 성능 개선

  4. Reliability : Cell/Peripheral 영역 Transistor Life Time 및 산포 개선, Wafer/Product Level Process 신뢰성 확보와 품질 개선

  5. Failure Analysis : 신제품 적기 개발 및 양산 수율 향상/품질 개선

  6. ​TCAD Simulation : 개발기간 단축, 생산성 향상, 성능개선 및 품질 향상

  7. Modeling : 개발기간 단축, 생산성 향상, 성능개선 및 품질 향상

  8. Layout Design Rule : 원활한 설계 진행을 위해 PDK 개발, MASK 및 Design Manual 제작 및 관리

* 관련 SPTA 교육과정 *

  • Dram 소자, Flash 소자 (Device, 집적공정, 불량분석) 

      --> 반도체소자의 전기적특성측정 및 분석(중급) :  DC Analyzer 및 LCR Meter를 활용한 소자 특성 측정 및 불량 분석 실습

  • System IC 소자 (Technology 개발, Product 개발)   

      --> 반도체소자제작 및 전기적특성분석(심화) : 반도체8대공정을 이용한 MOSFET 제작, DC Analyzer 및 LCR Meter를 활용한 소자 특성 측정

  • ​선행소자 (STT-MRAM, ReRAM, PCRAM)                   

      -->  NA

주요업무

​공정(R&D)

  1. Photo : Patterning 공정 기술 적기 개발, 공정 최적화 및 생산성 향상, OPC 지원, OPC Solution 기술 개발

  2. Etch : Etching 공정에 대한 연구와 신공정 및 장비 개발

  3. Diffusion : CVD, ALD, Implantation등 Diffusion 단위 공정과 요소 기술의 적기 개발

  4. Thin Film : 절연막 증착공정, 금속 또는 금속질화막 형성 공정의 기술개발 및 최적공정조건 제시

  5. C&C : CMP 및 Cleaning 공정 진행 장비의 Process Set-up과 각종 공정 개선 및 생산성 향상

  6. R&D DMI : Optic/E-beam 등 계측 기술과 Tool을 개발하고 개선하여 적용

  7. WaferBonding : Wafer 간 접합을 위한 Wafer Bonding·Edge Treatment(Trimming)·Thinning
    (Grinding, CMP) 공정 개발 및 생산성 향상을 위한 공정/ 장비 최적화

  8. AT : 구조, 표면 측면에서 제품/ 재료 물성 및 불량을 분석하고, 분석 기술을 개발

* 관련 SPTA 교육과정 *​

  • Device 공정 개발

      --> 반도체소자의 전기적특성측정 및 분석(중급) :  DC Analyzer 및 LCR Meter를 활용한 소자 특성 측정 및 불량 분석 실습

      --> 반도체소자제작 및 전기적특성분석(심화) : 반도체8대공정을 이용한 MOSFET 제작, DC Analyzer 및 LCR Meter를 활용한 소자 특성 측정

  • 요소 공정기술 개발

      --> 반도체공정교육 : 반도체 8대 공정에 대한 이론, 칩 제작을 위한 집적 공정에 대한 이론 교육

      --> 패터닝공정실습 : Photolithography / Etch / Wet Cleaning 공정 및 데이터 분석 실습

      --> 반도체구조형성공정실습 :  Wet Cleaning / Oxidation /Photolithography / Etch 공정 & 데이터 분석 실습

      --> 반도체소자제작 및 전기적특성분석(심화) : 반도체8대공정을 이용한 MOSFET 제작, DC Analyzer 및 LCR Meter를 활용한 소자 특성 측정

  • New Memory 공정

​      --> 반도체소자제작 및 전기적특성분석(심화) : 반도체8대공정을 이용한 MOSFET 제작, DC Analyzer 및 LCR Meter를 활용한 소자 특성 측정

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